O Instituto de Engenheiros de Semicondutores (ISE) apresentou seu Roteiro Tecnológico de Semicondutores 2026, onde faz previsões para o desenvolvimento de silício nos próximos 15 anos. Entre as previsões, incluem-se o aumento das camadas de memória flash NAND de 321 para 2. Por exemplo, a empresa concluiu o projeto básico de seu nó GAA de 2 nm de segunda geração e planeja implementar o SF2P+, a tecnologia GAA de 2 nm de terceira geração, em dois anos.
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